发明名称 研磨设备中具有第二阻流环的缓冲台装置
摘要 本发明涉及一种研磨设备中具有第二阻流环的缓冲台装置,从上而下依次设置有相应连接的缓冲台、基座、台板及平台;所述基座与所述台板的周边对应设置有多对用来连接两者的第二连接孔;其中,所述基座表面上还设置有至少一个阻止液体从基座的边缘流入所述第二连接孔的第二阻流环,以阻止液体通过所述第二连接孔流动到基座下方的台板及轴承处,保证了轴承的正常工作不受影响。本发明由于具有第二阻流环,不再需要在基座的第二连接孔内设置特制的垫圈或对其进行定期更换,简化了维护操作,节省了成本。
申请公布号 CN104249290B 申请公布日期 2016.06.22
申请号 CN201310266341.9 申请日期 2013.06.28
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 龚大伟
分类号 B24B37/27(2012.01)I;B24B37/34(2012.01)I 主分类号 B24B37/27(2012.01)I
代理机构 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 代理人 张静洁;徐雯琼
主权项 一种研磨设备中具有第二阻流环的缓冲台装置,从上而下依次设置有相应连接的缓冲台(10)、基座(20)、台板(30)及平台(40),所述平台(40)中有多个轴承(42)穿过台板(30)布置;通过相应管道(50)输送到基座(20)中心导流孔处的液体,能够在基座(20)表面上由第一阻流环(21)限定的范围内流动,进而向上通过缓冲台(10)中间位置的大量通孔,流动到缓冲台(10)的上方,对放置在缓冲台(10)上的晶圆表面进行相应处理;所述基座(20)与所述缓冲台(10)的周边对应设置有多对用来连接两者的第一连接孔(61),所述基座(20)与所述台板(30)的周边对应设置有多对用来连接两者的第二连接孔(62);其特征在于,所述基座(20)表面上还设置有至少一个阻止液体从基座(20)的边缘流入所述第二连接孔(62)的第二阻流环(22),以阻止液体通过所述第二连接孔(62)流动到基座(20)下方的台板(30)及轴承(42)处。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号