具有绝缘沟槽的IC及相关的方法

摘要

本公开涉及具有绝缘沟槽的IC及相关的方法。一种IC可以包括：半导体衬底，半导体衬底具有形成在衬底中的电路；在半导体衬底上方并且具有耦合到电路的天线的互连层；以及在互连层的外围周围的密封环。IC可以包括竖直地延伸到半导体衬底中并且从半导体衬底的相邻的一侧向半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过半导体衬底的电绝缘沟槽。

主权项

一种集成电路(IC)，包括：半导体衬底，具有形成在所述半导体衬底中的电路；至少一个互连层，在所述半导体衬底上方并且包括耦合到所述电路的天线；密封环，在所述至少一个互连层的外围周围；以及至少一个电绝缘沟槽，竖直地延伸到所述半导体衬底中并且从所述半导体衬底的相邻的一侧向所述半导体衬底的相邻的另一侧横向地延伸跨过所述半导体衬底。