| 发明名称 | 用于电器件中的载流结构的金属化部及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于电器件中的载流结构的金属化部及其制造方法，该金属化部布置在衬底（S）上，且具有基座、布置在该基座上的上覆层（TL）以及该基座中的布置在下层（BL）与上层（UL）之间的中间层（ML），其中基座包括下层（BL），该下层布置在衬底表面上方或者布置在衬底表面上并且包括Ti或者钛化合物作为主要成分，基座包括上层（UL），该上层布置在下层（BL）上方或者直接布置在下层（BL）上并且包括Cu作为主要成分，上覆层（TL）直接布置在上层上并且包括Al作为主要成分，以及中间层（ML）包括Ag。 | ||
| 申请公布号 | CN105702660A | 申请公布日期 | 2016.06.22 |
| 申请号 | CN201610154919.5 | 申请日期 | 2010.12.01 |
| 申请人 | 埃普科斯股份有限公司 | 发明人 | C.比宁格;U.克瑙尔;H.措特尔;W.吕勒;T.耶武拉;R.尼斯尔 |
| 分类号 | H01L23/498(2006.01)I;H03H9/02(2006.01)I;H03H9/145(2006.01)I;H05K1/09(2006.01)I;H05K3/38(2006.01)I;H05K1/02(2006.01)I;H05K1/03(2006.01)I;H05K3/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/498(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘春元 |
| 主权项 | 用于电器件中的载流结构的金属化部（M），‑ 布置在衬底（S）上，‑ 具有基座、布置在该基座上的上覆层（TL）以及该基座中的布置在下层（BL）与上层（UL）之间的中间层（ML），其中‑ 基座包括下层（BL），该下层布置在衬底表面上方或者布置在衬底表面上并且包括Ti或者钛化合物作为主要成分，‑ 基座包括上层（UL），该上层布置在下层（BL）上方或者直接布置在下层（BL）上并且包括Cu作为主要成分，‑ 上覆层（TL）直接布置在上层上并且包括Al作为主要成分，以及‑ 中间层（ML）包括Ag。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||