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본 발명의 과제는 반도체 스위치 회로에 있어서, 정부 양극성의 고전압 신호를 처리 가능하고, 또한 저압 전원으로 제어 가능하게 하는 것이다. 반도체 스위치 회로는, 게이트끼리와 소스끼리가 접속된 2개의 MOSFET, 및 게이트·소스 사이에 역방향으로 접속된 제너 다이오드(ZD1)로 구성되는 제1 스위치 페어(81)와, 이와 마찬가지로 구성되는 제2 스위치 페어(82)와, 게이트끼리와 소스끼리가 접속된 2개의 MOSFET으로 구성되는 제3 스위치 페어(83)를 구비한다. 제1 스위치 페어(81)와 제2 스위치 페어(82)는, 2개의 입출력 단자(101, 102) 사이에, 접속 노드(84)를 개재하여 직렬로 접속된다. 제3 스위치 페어(83)는 제1 스위치 페어(81)와 제2 스위치 페어(82) 사이의 접속 노드(84)와 접지 사이에 접속된다. |
