| 发明名称 | 一种沟槽型肖特基功率器件结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种沟槽型肖特基功率器件结构及其制造方法，包括：N型重掺杂的基片；结合于所述N型重掺杂基片表面的N型轻掺杂的硅外延层；形成于所述硅外延层中的至少两个沟槽，且所述沟槽表面形成有氧化层；填充于所述沟槽内的导电材料层；形成于所述硅外延层表面的金属硅化物层；以及形成于所述金属硅化物表面的正面电极层。所述正面电极为自下往上依次层叠的TiN/AlSiCu/Ti/TiN/Ti/Ni/Ag叠层、TiN/AlSi/Ti/TiN/Ti/Ni/Ag叠层及TiN/Al/Ti/TiN/Ti/Ni/Ag叠层中的一种。本发明由金属硅化物和低掺杂N型硅形成肖特基结，并采用沟槽MOS结构作为单元肖特基结构的漏电保护环，实现低漏电的肖特基功率二极管器件；对正面电极结构的改进大幅降低了器件的正向导通压降，并提高器件对浪涌冲击的耐受力和抗静电能力。 | ||
| 申请公布号 | CN103456796B | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201310381187.X | 申请日期 | 2013.08.28 |
| 申请人 | 中航（重庆）微电子有限公司 | 发明人 | 郑晨炎;陈采;龚大卫 |
| 分类号 | H01L29/812(2006.01)I;H01L29/47(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/812(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种沟槽型肖特基功率器件结构的制造方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)提供一N型重掺杂的基片，于所述基片表面形成N型轻掺杂的硅外延层；2)于所述硅外延层中形成至少两个沟槽，于所述沟槽表面形成氧化层，并于所述沟槽内填充导电材料层；3)于所述硅外延层及导电材料层表面形成金属层，并通过退火工艺于所述硅外延层表面形成金属硅化物层；4)于所述金属硅化物表面形成正面电极层，其中，所述正面电极层为自下往上依次层叠的TiN/AlSiCu/Ti/TiN/Ti/Ni/Ag叠层、TiN/AlSi/Ti/TiN/Ti/Ni/Ag叠层及TiN/Al/Ti/TiN/Ti/Ni/Ag叠层中的一种。 | ||
| 地址 | 401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号 | ||