一种半导体器件

摘要

一种半导体器件。本发明提供一种具有测试元件的衬垫下器件，包括：衬垫和位于所述衬垫下方的半导体器件，其特征在于，所述测试元件由四块多晶硅电阻构成，其中：两块电阻值相同的第一多晶硅电阻和第四多晶硅电阻位于所述衬垫下方所覆盖范围之内，另两块电阻值相同的第二多晶硅电阻和第三多晶硅电阻位于所述衬垫下方所覆盖范围之外；所述四块多晶硅电阻构成一具有两个支路的并联电路；所述并联电路的第一支路由所述第一多晶硅电阻和第二多晶硅电阻依次串联构成；所述并联电路的第二支路由所述第三多晶硅电阻和第四多晶硅电阻依次串联构成。根据本发明，通过所述衬垫下器件中的测试元件测量得到的电阻偏离值的大小可以精确地表征作用于所述衬垫下器件的应力的大小。

主权项

一种具有测试元件的衬垫下器件，包括衬垫和位于所述衬垫下方的半导体器件，其特征在于，所述测试元件由四块掺杂硼的多晶硅电阻构成，其中：两块电阻值相同的第一多晶硅电阻和第四多晶硅电阻位于所述衬垫下方所覆盖范围之内，另两块电阻值相同的第二多晶硅电阻和第三多晶硅电阻位于所述衬垫下方所覆盖范围之外；所述四块掺杂硼的多晶硅电阻构成一具有两个支路的并联电路；所述并联电路的第一支路由所述位于所述衬垫下方所覆盖范围之内的第一多晶硅电阻和所述位于所述衬垫下方所覆盖范围之外的第二多晶硅电阻依次串联构成；所述并联电路的第二支路由所述位于所述衬垫下方所覆盖范围之外的第三多晶硅电阻和所述位于所述衬垫下方所覆盖范围之内的第四多晶硅电阻依次串联构成；当一应力作用于所述衬垫下器件时，所述第一多晶硅电阻和第四多晶硅电阻的电阻值偏离其本身固有的电阻值的大小与所述应力的大小呈线性关系，所述电阻值偏离数值的大小与所述第一和第四多晶硅电阻本身固有的电阻值的大小无关。