| 发明名称 | 含碳物质气化方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种含碳物质气化方法、超临界处理装置及含碳物质气化系统，涉及含碳物质气化技术领域，为解决含碳物质气化后转化率以及产物中甲烷的产物产率较低的问题而发明。所述含碳物质气化方法，包括，将含碳反应原料在第一超临界状态下进行一级超临界气化反应；使一级超临界反应的反应产物在第二超临界状态下进行二级超临界气化反应；其中，所述第一超临界状态为22.1-40Mpa和500℃-1000℃，所述第二超临界状态为22.1-40Mpa和374-600℃，且所述第一超临界状态的温度高于所述第二超临界状态的温度。本发明含碳物质气化方法以及超临界处理装置用于煤或其他含碳物质气化。 | ||
| 申请公布号 | CN104130804B | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201410359422.8 | 申请日期 | 2014.07.25 |
| 申请人 | 新奥科技发展有限公司 | 发明人 | 程乐明;赵晓;王青;高志远;宋成才;曹雅琴;宋庆峰;史金涛 |
| 分类号 | C10J3/46(2006.01)I;C10J3/48(2006.01)I;C10J3/72(2006.01)I | 主分类号 | C10J3/46(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 李桦 |
| 主权项 | 一种含碳物质气化方法，其特征在于，包括：将含碳反应原料在第一超临界状态下进行一级超临界气化反应；使一级超临界反应的反应产物在第二超临界状态下进行二级超临界气化反应；其中，所述第一超临界状态为22.1‑40Mpa和500℃‑1000℃，所述第二超临界状态为22.1‑40Mpa和374‑600℃，且所述第一超临界状态的温度高于所述第二超临界状态的温度。 | ||
| 地址 | 065001 河北省廊坊市经济技术开发区华祥路新奥科技园南区B座522室 | ||