一种用于PoP封装的散热结构的制作方法

摘要

本发明公开了一种用于PoP封装的散热结构的制作方法，包括：制作上层封装基板，其中上层封装基板内有thermal via，还有若干层大面积铜箔，四周有填充满铜的半过孔；将多个上层封装导热芯片或器件贴在或者焊在上层封装基板中的多个thermal via上，形成上层封装体；制作下层封装体；在上层封装基板背面焊盘上刷锡膏，钢网植BGA球并回流，形成BGA支撑球；在下层封装体基板上表面焊盘上刷焊锡膏，下层封装焊盘与上层封装体BGA支撑球对齐后，回流实现上层封装体与下层封装体互联；在下层封装体基板背面焊盘上刷锡膏，钢网植BGA球，回流实现下层封装体植球；在上层封装体顶部上设置一个散热罩，在上层封装导热芯片或器件与散热罩之间涂一层高导热率热界面材料。

主权项

一种用于PoP封装的散热结构的制作方法，其特征在于，包括：步骤1：制作上层封装基板(100)；步骤2：将多个上层封装导热芯片或器件(201)贴在或者焊在上层封装基板(100)中多个导热孔(101)上，形成上层封装体；步骤3：制作下层封装体；步骤4：在上层封装基板(100)背面焊盘上刷锡膏，钢网植BGA球并回流，形成BGA支撑球(400)；步骤5：在下层封装体基板上表面焊盘上刷焊锡膏，下层封装焊盘与上层封装体BGA支撑球(400)对齐后，回流实现上层封装体与下层封装体互联；步骤6：在下层封装体基板背面焊盘上刷锡膏，钢网植BGA球(500)，回流实现下层封装体植球；步骤7：在上层封装体顶部上设置一个散热罩(700)，在上层封装导热芯片或器件(201)与散热罩(700)之间涂一层高导热率热界面材料(600)；其中，所述步骤1包括：先将大面积铜箔(102)与介质层(103)依次交叉叠层形成基板，然后在该基板表面的中间部分打孔并填充铜形成多个导热孔(101)，并在该基板表面的四周打半孔并填充铜形成多个半过孔(104)；所述大面积铜箔(102)采用厚铜，厚度范围为12～36μm，且大面积铜箔(102)与半过孔(104)互联，半过孔(104)中填充满铜，半过孔(104)与散热罩(700)连接。