栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件

摘要

本公开涉及栅极结构的形成方法、半导体器件的形成方法以及半导体器件。本公开的实施例提供一种栅极结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括nMOSFET区和pMOSFET区，所述nMOSFET区和所述pMOSFET区分别具有栅沟槽，所述栅沟槽的底部分别有栅介质层；在所述衬底的表面上形成栅介质保护层；在所述栅介质保护层上形成吸氧元素层；在所述吸氧元素层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成功函数调整层；进行金属层淀积和退火处理，以在所述栅沟槽内填充金属层；以及去除所述栅沟槽之外的金属层。本公开实施例提供的栅极结构形成方法能够有效降低等效栅氧化层厚度。

主权项

一种栅极结构的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括nMOSFET区和pMOSFET区，所述nMOSFET区和所述pMOSFET区分别具有栅沟槽，所述栅沟槽的底部分别有栅介质层；在所述衬底的表面上形成栅介质保护层；在所述栅介质保护层上形成吸氧元素层；在所述吸氧元素层上形成刻蚀阻挡层；在所述刻蚀阻挡层上形成功函数调整层；进行金属层淀积和退火处理，以在所述栅沟槽内填充金属层；以及去除所述栅沟槽之外的金属层；所述衬底的形成方法包括：在半导体衬底内形成浅沟槽隔离结构；在半导体衬底上依次淀积界面层、栅介质层和栅层；在栅层上形成具有栅极图案的掩模，并用该掩模进行刻蚀以形成栅极结构；在栅极结构的两侧形成侧墙，并以栅极结构和侧墙为掩模进行离子注入以形成源/漏区；淀积金属前介质层，并进行化学机械研磨直至露出伪栅；进行刻蚀以去除伪栅。