发明名称 一种两步法制备多孔铱的方法
摘要 本发明属于一种多孔材料的制备领域,具体公开了一种“化学气相沉积”+“高温焙烧”两步法制备多孔铱的方法。第一步是“化学气相沉积的方法制备铱”:选用的基体为钼,可以使用共反应气体来提高沉积质量。得到沉积在钼基体上的铱后,使用合适的腐蚀剂腐蚀掉基体,得到金属铱。第二步是“高温焙烧的方法制备多孔铱”:对铱在高温、保护气氛下进行高温焙烧,得到多孔铱。由于多孔铱熔点高,脆性大,常规方法制备多孔铱较为困难,本发明采用化学气相沉积后高温焙烧的方式,得到多孔铱,工艺流程较为简单,孔隙率,平均孔径可以控制。
申请公布号 CN105671514A 申请公布日期 2016.06.15
申请号 CN201610202922.X 申请日期 2016.04.01
申请人 北京理工大学 发明人 岳峻逸;刘科学;谭成文;于晓东;苏铁健
分类号 C23C16/18(2006.01)I;C23C16/56(2006.01)I 主分类号 C23C16/18(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种两步法制备多孔铱的方法,其特征在于该方法的步骤为:第一步,化学气相沉积法制备铱,详细步骤为:(1)对钼基体进行清洗并干燥;(2)将SiC砂和Ir(acac)<sub>3</sub>混合均匀后装入蒸发室;(3)将蒸发室与沉积室通过管路连接,然后将步骤(1)得到的钼基体置于沉积室中,完成系统的组装;(4)将氩气通过管路通入到蒸发室中;(5)将氢气通过管路通入到沉积室中,然后开启感应加热炉对钼基体进行感应加热;(6)开启蒸发室加热装置,对Ir(acac)<sub>3</sub>进行加热;(7)待蒸发室加热至所需温度稳定后,通过氩气载带将Ir(acac)<sub>3</sub>气体导入沉积室,沉积反应开始;(8)达到预定沉积时间后,将Ir(acac)<sub>3</sub>气体导出沉积室,并关闭蒸发室和沉积室中间的高温阀,关闭蒸发室的加热装置,然后对钼基体进行降温,当钼基体温度降至室温后,依次关闭氢气和氩气,将样品从沉积室中取出;(9)利用化学腐蚀的方法腐蚀掉钼基体,然后用去离子水洗涤金属铱并干燥;第二步,高温焙烧制备多孔铱:在管式炉中,对第一步得到的金属铱进行高温焙烧。
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