| 发明名称 | 功率半导体用封装散热Mo基片Ru涂层及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种功率半导体用封装散热Mo基片Ru涂层及其制备方法。利用磁控溅射法在功率半导体用封装散热Mo基片上沉积Ru涂层，沉积时，真空度优于6.0×10<sup>-4</sup>Pa，以氩气起弧，固定溅射气压0.3Pa，溅射时间120min，Ru靶功率120W，通过改变制备过程中的负偏压获得不同负偏压的Ru薄膜。该方法制备的Ru涂层具有晶粒尺寸小，致密度高，缺陷少，膜基结合力高和耐蚀性能优异等优点。其最低表面粗糙度为0.639nm，最高膜基结合力为14.1N，最高点蚀电位差为0.7438V。 | ||
| 申请公布号 | CN105671502A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201610030468.4 | 申请日期 | 2016.01.18 |
| 申请人 | 江苏时代华宜电子科技有限公司 | 发明人 | 陈敏;郭丽萍;许俊华 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I;C23C14/16(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228 | 代理人 | 林弘毅;聂汉钦 |
| 主权项 | 一种功率半导体用封装散热Mo基片上沉积的Ru涂层，其特征在于：所述Ru涂层的最低表面粗糙度为0.639nm，最高膜基结合力为14.1N，Ru涂层的点蚀电位均高于Mo衬底，Ru涂层的最高点蚀电位差为0.7438V。 | ||
| 地址 | 214200 江苏省无锡市宜兴市环科园岳东路 | ||