| 发明名称 | 场效应晶体管、显示元件、图像显示装置和系统 | ||
| 摘要 | 场效应晶体管，包括：基体材料；钝化层；在它们之间形成的栅绝缘层；源电极和漏电极，其形成为与所述栅绝缘层接触；在至少所述源电极和所述漏电极之间形成的且与所述栅绝缘层、所述源电极和所述漏电极接触的半导体层；和与所述栅绝缘层接触且经由所述栅绝缘层面对所述半导体层的栅电极，其中所述钝化层包含第一钝化层和形成为与该第一钝化层接触的第二钝化层，所述第一钝化层包含含有Si和碱土金属的第一复合金属氧化物，且所述第二钝化层包含含有碱土金属和稀土元素的第二复合金属氧化物。 | ||
| 申请公布号 | CN105684135A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201480059693.X | 申请日期 | 2014.10.23 |
| 申请人 | 株式会社理光 | 发明人 | 早乙女辽一;植田尚之;中村有希;安部由希子;松本真二;曾根雄司;新江定宪 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 宋莉 |
| 主权项 | 场效应晶体管，包括：基体材料；钝化层；在所述基体材料和所述钝化层之间形成的栅绝缘层；源电极和漏电极，其形成为与所述栅绝缘层接触；半导体层，其在至少所述源电极和所述漏电极之间形成，且与所述栅绝缘层、所述源电极和所述漏电极接触；和栅电极，其与所述栅绝缘层接触且经由所述栅绝缘层面对所述半导体层，其中所述钝化层包含第一钝化层和第二钝化层，所述第一钝化层包含含有Si和碱土金属的第一复合金属氧化物，所述第二钝化层形成为与所述第一钝化层接触且包含含有碱土金属和稀土元素的第二复合金属氧化物。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||