| 发明名称 | 金属化叠层及包括其的半导体器件和电子设备 | ||
| 摘要 | 公开了一种金属化叠层及包括该金属化叠层的半导体器件和电子设备。根据实施例，金属化叠层可以包括：层间电介质层，包括电介质材料和负电容材料，其中，该层间电介质层中形成的至少一对彼此之间至少部分相对的第一导电互连部件在它们的相对部分之间包括电介质材料和负电容材料二者，和/或该层间电介质层的上层中形成的至少一个第二导电互连部件与该层间电介质层的下层中形成的与该第二导电互连部件至少部分相对的至少一个第三导电互连部件在它们的相对部分之间包括电介质材料和负电容材料二者。 | ||
| 申请公布号 | CN105679742A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201610153583.0 | 申请日期 | 2016.03.17 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L27/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
| 主权项 | 一种金属化叠层，包括：层间电介质层，包括电介质材料和负电容材料，其中，该层间电介质层中形成的至少一对彼此之间至少部分相对的第一导电互连部件在它们的相对部分之间包括电介质材料和负电容材料二者，和/或该层间电介质层的上层中形成的至少一个第二导电互连部件与该层间电介质层的下层中形成的与该第二导电互连部件至少部分相对的至少一个第三导电互连部件在它们的相对部分之间包括电介质材料和负电容材料二者。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||