发明名称 | 氮化物半导体紫外线发光元件 | ||
摘要 | 本发明涉及氮化物半导体紫外线发光元件,其在n型半导体层的露出面形成能够提高与n电极的接触特性的n电极形成层,从而能够改善电特性及光转换效率。为此,本发明的氮化物半导体紫外线发光元件包括在基板上依次层叠的n型半导体层、有源层和p型半导体层,并具备用于施加电流的n电极和p电极,其中,在通过对所述p型半导体层、有源层及所述n型半导体层的一部分进行蚀刻而露出的所述n型半导体层的露出面的一部分或整体具备n电极形成层,在所述n型半导体层露出面的上侧形成n型金属层,以覆盖所述n电极形成层,所述n电极形成层与所述n型半导体层相比,带隙能量小。 | ||
申请公布号 | CN105684167A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
申请号 | CN201480057220.6 | 申请日期 | 2014.10.29 |
申请人 | 浦项工科大学校产学协力团 | 发明人 | 金东泳;金钟奎 |
分类号 | H01L33/36(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/36(2006.01)I |
代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 李辉;金玲 |
主权项 | 一种氮化物半导体紫外线发光元件,其包括在基板上依次层叠的n型半导体层、有源层和p型半导体层,并具备用于施加电流的n电极和p电极,所述氮化物半导体紫外线发光元件的特征在于,在通过对所述p型半导体层、有源层及所述n型半导体层的一部分进行蚀刻而露出的所述n型半导体层的露出面的一部分或整体具备n电极形成层,在所述n型半导体层的露出面的上侧以覆盖所述n电极形成层的方式形成n型金属层,所述n电极形成层与所述n型半导体层相比,带隙能量小。 | ||
地址 | 韩国庆尚北道 |