| 发明名称 | 制备磁性随机存储器周边导电通路的方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于在纳米尺寸的MRAM中，制备高质量的周边导电通路(ECM，Electrical Conducting Means)的方法，具有高电导率和更好的阻止Cu电迁移。通过对扩散阻止层(DBL，Diffusion Barrier Layer)和粘附增强层(AEL，Adhesion Enhancement Layer)选择合适的材料，可以得到可靠性高的MRAM器件。为进一步减低DBL与AEL的总厚度，可以采用单层合金扩散阻止层(ADBL，Alloyed Diffusion Barrier Layer)。ADBL材料可选自Co、Ru或Cr的合金，合金的其它元素选自W、Ti、Pt、Rd、Hf、Nb、Zr、V，这些元素的含量在5％至40％之间。 | ||
| 申请公布号 | CN105679784A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201510779495.7 | 申请日期 | 2015.11.13 |
| 申请人 | 上海磁宇信息科技有限公司 | 发明人 | 肖荣福 |
| 分类号 | H01L27/22(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人 | 于晓菁 |
| 主权项 | 一种制备磁性随机存储器导电通路的方法，其特征在于，设置所述导电通路中包括：扩散阻止层；粘附增强层；以及被所述扩散阻止层和所述粘附增强层包围的Cu主导电通道。 | ||
| 地址 | 201800 上海市嘉定区城北路235号二号楼二层 | ||