发明名称 |
一种层状介质瞬变电磁测深定性分析方法 |
摘要 |
本发明涉及一种层状介质瞬变电磁测深定性分析方法,包括下述的步骤:利用瞬变电磁法获得层状介质断面单个实测点的二次场衰减曲线;确定背景二次场曲线;将单个实测点的二次场衰减曲线数值对应比上背景二次场曲线数值,所得结果再取相反数,得到二次场反比值曲线;根据二次场反比值曲线随时间变化规律定性判断层状地电结构或相对于参考点的地电结构的变化。该方法能够就单个瞬变电磁测深点进行垂向电性结构的定性分析,同时能够实时对比测点相对背景参考点下方的垂向电性结构变化,以便现场实时发现异常测点并做出应对。 |
申请公布号 |
CN105676301A |
申请公布日期 |
2016.06.15 |
申请号 |
CN201610156456.6 |
申请日期 |
2016.03.18 |
申请人 |
湖南五维地质科技有限公司 |
发明人 |
席振铢;黄龙;宋刚;周胜;龙霞;侯海涛;陈兴朋;薛军平;亓庆新;王亮;肖炜;邓华;韦洪兰;王鹤;边祥会;董志强;潘纪敏;范福来 |
分类号 |
G01V3/38(2006.01)I |
主分类号 |
G01V3/38(2006.01)I |
代理机构 |
长沙永星专利商标事务所 43001 |
代理人 |
周咏;林毓俊 |
主权项 |
一种层状介质瞬变电磁测深定性分析方法,其特征在于包括下述的步骤:利用瞬变电磁法获得层状介质断面单个实测点的二次场衰减曲线;确定背景二次场曲线:若是定性分析层状地电结构,为符合均匀半空间衰减规律的任意二次场曲线;若是定性分析某测点相对于背景围岩的地电结构的变化,则为参考点的二次场曲线,该参考点能代表测区背景围岩地电结构;将单个实测点的二次场衰减曲线数值对应比上背景二次场曲线数值,所得结果再取相反数,得到二次场反比值曲线;根据二次场反比值曲线随时间变化规律定性判断层状地电结构或相对于参考点的地电结构的变化。 |
地址 |
410205 湖南省长沙市麓谷高新区瑞龙路麓谷坐标A-604 |