| 发明名称 | 一种硅应变片桥式电路零点温度漂移的补偿方法 | ||
| 摘要 | 一种硅应变片桥式电路零点温度漂移的补偿方法，其特征在于：包括在多温度点处对应变电阻进行数据采集，利用软件补偿算法和采集数据计算出串联电阻值和并联电阻值；计算串联电阻值和并联电阻值应满足关系式：<img file="dest_path_image002.GIF" wi="208" he="56" />；式中Rp为并联电阻，Rs为串联电阻。本发明使六轴力/力矩传感器不再受温度的影响，在整个工作温度范围内具备很高的信号精度。 | ||
| 申请公布号 | CN105675184A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201610091648.3 | 申请日期 | 2016.02.19 |
| 申请人 | 沈阳埃克斯邦科技有限公司 | 发明人 | 王振;陈明洁;林洁晗;赵明江 |
| 分类号 | G01L1/22(2006.01)I | 主分类号 | G01L1/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 沈阳利泰专利商标代理有限公司 21209 | 代理人 | 刘忠达 |
| 主权项 | 一种硅应变片桥式电路零点温度漂移的补偿方法，其特征在于：包括在多温度点处对应变电阻进行数据采集，利用软件补偿算法和采集数据计算出串联电阻值和并联电阻值；计算串联电阻值和并联电阻值应满足关系式：<img file="dest_path_image002.GIF" wi="208" he="56" />；式中Rp为并联电阻，Rs为串联电阻。 | ||
| 地址 | 110046 辽宁省沈阳市大东区小河沿路70-1号（4-9-1）1室 | ||