| 发明名称 | 基于柔性金属基带的CeO<sub>2-x</sub>纳米薄膜及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种氧化铈纳米薄膜制备技术领域的基于柔性金属基带的CeO<sub>2-x</sub>纳米薄膜及其制备方法。本发明涉及基于柔性金属基带的CeO<sub>2-x</sub>纳米薄膜为多种形貌及取向，所述CeO<sub>2-x</sub>纳米薄膜的结构为阵列状排布的纳米颗粒。本发明还涉及前述基于柔性金属基带的CeO<sub>2-x</sub>纳米薄膜的制备方法。本发明涉及的CeO<sub>2-x</sub>纳米薄膜厚度精确控制，可制备多层复合纳米结构；本发明涉及CeO<sub>2-x</sub>纳米薄膜具有金属柔性特征，可满足多种应用需求；本发明的方法制备简便，易于实现产业化生产，相关参数相对于传统的化学方法更加容易控制，生产成本可大大降低。 | ||
| 申请公布号 | CN105671485A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201610053749.1 | 申请日期 | 2016.01.26 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 王斌斌;刘林飞;李贻杰;吴祥;姚艳婕;王梦麟;陆赛丹 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/28(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人 | 郭国中;陈少凌 |
| 主权项 | 一种基于柔性金属基带的CeO<sub>2‑x</sub>纳米薄膜，其特征在于，所述CeO<sub>2‑x</sub>纳米薄膜为多种形貌及取向，所述CeO<sub>2‑x</sub>纳米薄膜的结构为阵列状排布的纳米颗粒。 | ||
| 地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 | ||