半导体器件和制造该半导体器件的方法

摘要

提供了一种半导体器件如下。有源鳍从衬底突出、在第一方向上延伸。第一器件隔离层设置在所述有源鳍的第一侧。第二器件隔离层设置在有源鳍的第二侧。第二器件隔离层的顶表面比第一器件隔离层的顶表面高，第二侧与第一侧相反。正常栅极在与第一方向交叉的第二方向上跨过有源鳍延伸。第一虚设栅极在第二方向上跨过有源鳍和第一器件隔离层延伸。第二虚设栅极在第二方向上跨过第二器件隔离层延伸。

主权项

一种半导体器件，包括：多个有源鳍，所述多个有源鳍从衬底突出并在第一方向上延伸；第一器件隔离层，所述第一器件隔离层设置在所述有源鳍的第一侧；第二器件隔离层，所述第二器件隔离层设置在所述有源鳍的第二侧，其中，所述第二器件隔离层的顶表面比所述第一器件隔离层的顶表面高，并且所述第二侧与所述第一侧相反；正常栅极，所述正常栅极在与所述第一方向交叉的第二方向上跨过所述有源鳍延伸；第一虚设栅极，所述第一虚设栅极在所述第二方向上跨过所述有源鳍和所述第一器件隔离层延伸；以及第二虚设栅极，所述第二虚设栅极在所述第二方向上跨过所述第二器件隔离层延伸。