发明名称 |
非易失性存储装置及其操作方法 |
摘要 |
一种非易失性存储装置的操作方法,包括:执行读取操作来读取存储在包括第一单位组的第一存储单元块中的数据;从第一单位组中检测第二单位组,该第二单位组具有的在读取数据中包括的错误位的数量比设定位数多,且等于或少于可以通过错误检测和校正(ECC)处理校正的最大允许位数;以及在检测第二单位组之后,执行回写操作来将存储在第一存储单元块中的数据移动到第二存储单元块。本发明还公开了一种非易失性存储装置。 |
申请公布号 |
CN101763904B |
申请公布日期 |
2016.06.15 |
申请号 |
CN200910262084.5 |
申请日期 |
2009.12.23 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
朱锡镇 |
分类号 |
G11C29/42(2006.01)I;G11C11/00(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/42(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
杨林森;康建峰 |
主权项 |
一种非易失性存储装置的操作方法,该方法包括:执行读取操作,以读取存储在具有多个页且包括第一单位组的第一存储单元块中的数据;在进行了所述第一存储单元块中包括的多个页的所有页的读取操作之后,从第一单位组中检测在数据中包括有多个错误位的第二单位组,其中所述错误位的数量比设定位数多,且等于或少于通过错误检验和校正处理可校正的最大允许位数;以及在检测到具有多个错误位的第二单位组之后执行回写操作,以便将存储在所述第一存储单元块中的数据移动到第二存储单元块,其中,从所述第一单位组当中将与最大允许位数相等或比最大允许位数的50%多的错误位的数量检测为所述第二单位组,其中执行所述回写操作包括:通过在所述第一存储单元块中包括的第一字线上执行读取操作来读取数据;执行错误检验和校正处理来校正读取数据中包括的错误位;通过在与所述第一存储单元块的所述第一字线相对应的所述第二存储单元块的第一字线上执行编程操作来存储经错误校正的数据;以及重复执行所述读取操作、所述错误检验和校正处理和所述编程操作,直到存储在所述第一存储单元块中的所有数据被存储到所述第二存储单元块中为止。 |
地址 |
韩国京畿道利川市 |