发明名称 |
一种表面尖锥状黑硅的湿法化学制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种表面尖锥状黑硅的湿法化学制备方法,所述的制备方法为:首先配制两种刻蚀液,第一种刻蚀液为硝酸铜、过氧化氢和氢氟酸的混合水溶液,第二种刻蚀液为硝酸铜、氟化氢铵和过氧化氢的混合水溶液;接着将单晶硅片置于第一种刻蚀液中进行初期刻蚀;然后置于第二种刻蚀液中进行表面结构修饰;最后清洗去除表面金属粒子残留,烘干即得表面尖锥状黑硅材料;本发明利用铜离子两步化学辅助刻蚀,在单晶硅表面制备出尖锥状的微纳米结构,此结构具有很好的陷光性能,应用于硅基太阳能电池可以显著提高对光的吸收效率。 |
申请公布号 |
CN103578966B |
申请公布日期 |
2016.06.15 |
申请号 |
CN201310521901.0 |
申请日期 |
2013.10.29 |
申请人 |
浙江工业大学 |
发明人 |
丁月;卢建树 |
分类号 |
H01L21/306(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/306(2006.01)I |
代理机构 |
杭州天正专利事务所有限公司 33201 |
代理人 |
黄美娟;王兵 |
主权项 |
一种表面尖锥状黑硅的湿法化学制备方法,其特征在于所述制备方法包括如下步骤:(1)配制两种刻蚀液,第一种刻蚀液为硝酸铜、过氧化氢和氢氟酸的混合水溶液,其中,硝酸铜的浓度为37.2‑57.8mmol/L,过氧化氢的体积分数为30%‑40%,氢氟酸的体积分数为6%‑15%,溶剂为去离子水;第二种刻蚀液为硝酸铜、氟化氢铵和过氧化氢的混合水溶液,其中,硝酸铜的浓度为16.5‑41.3mmol/L,氟化氢铵的浓度为0.45‑1.5mol/L,过氧化氢的体积分数为25%‑35%,溶剂为去离子水;(2)将单晶硅片置于步骤(1)配制的第一种刻蚀液中进行初期刻蚀,控制所述第一种刻蚀液温度为35‑55℃,刻蚀时间为40‑60min,得到初期刻蚀的单晶硅片;(3)将步骤(2)得到的初期刻蚀的单晶硅片置于步骤(1)配制的第二种刻蚀液中进行表面结构修饰,控制所述第二种刻蚀液温度为15‑30℃,表面结构修饰时间为30‑50s,得到表面结构修饰的单晶硅片;(4)将步骤(3)得到的表面结构修饰的单晶硅片先用去离子水清洗,然后置于酸性过氧化氢水溶液中去除表面金属粒子残留,最后再用去离子水清洗,烘干,得到表面尖锥状黑硅材料;所述酸性过氧化氢水溶液是由酸、过氧化氢溶于去离子水而得的水溶液,其中所述酸为非含氟酸。 |
地址 |
310014 浙江省杭州市下城区朝晖六区潮王路18号浙江工业大学科技处 |