发明名称 Procédé de gravure chimique du dioxyde de silicium.
摘要 La présente invention concerne un procédé de gravure chimique d’un matériau de dioxyde de silicium, tel que le quartz, qui met en œuvre des ions fluorure et un polymère fluoré. Ce procédé de gravure peut être utilisé notamment dans la fabrication d’oscillateurs à quartz destinés à être intégrés dans toutes sortes d’appareils électroniques tels que des appareils d’horlogerie, des gyroscopes ou des pacemakers.
申请公布号 CH710482(A2) 申请公布日期 2016.06.15
申请号 CH20150001781 申请日期 2015.12.08
申请人 AVENI 发明人 Paul Blondeau;Dominique Suhr;Laurianne Religieux
分类号 C03C15/00;C08F14/22;G01C19/00;G04G3/00;H01L41/08 主分类号 C03C15/00
代理机构 代理人
主权项
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