一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法

摘要

本发明属于功率半导体器件领域，具体的说涉及一种逆导型MOS栅控晶闸管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导MOS栅控晶闸管，在电流密度较低时，其可以起到电子势垒的作用，从而减小了N阳极区的元胞长度，减小其有效面积，通过大幅提高阳极短路电阻来抑制snapback效应，而随着电压增加，P浮空区也会向N漂移区进行空穴发射，以进行电导调制，抑制snapback效应；同时，在反向导通时，由于额外引入的P浮空区，导通时将经过寄生PNPN结构，电流到一定量级将出现晶闸管导通，从而使其反向也具有大的电流导通能力。

主权项

一种逆导型MOS栅控晶闸管，包括N型漂移区(7)，所述N型漂移区(7)的上表面具有金属化阴极(1)和栅极，且金属化阴极(1)和栅极分别位于两端，所述栅极由栅氧化层(3)和位于栅氧化层(3)上表面的栅电极(2)构成；所述N型漂移区(7)的下表面具有金属化阳极(11)；所述N型漂移区(7)的上层具有P阱(6)，所述P阱(6)的上表面分别与金属化阴极(1)的下表面及栅氧化层(3)的下表面接触；所述P阱(6)中具有N阱(5)，所述N阱(5)的上表面分别与金属化阴极(1)的下表面及栅氧化层(3)的下表面接触；所述N阱(5)中具有P+区(4)，所述P+区(4)的上表面两端分别与金属化阴极(1)的下表面及栅氧化层(3)的下表面接触；其特征在于，所述N型漂移区中还具有P型浮空层(8)、N型阳极区(9)和P型阳极区(10)；所述N型阳极区(9)的下表面和P型阳极区(10)的下表面与金属化阳极(11)的上表面连接；所述P型浮空层(8)位于N型阳极区(9)和P型阳极区(10)之间，且P型浮空层(8)呈倒“L”型覆盖在N型阳极区(9)上，其中，位于N型阳极区(9)上表面部分的P型浮空层的宽度为L1‑L2，其中，L1为N型阳极区(9)的宽度，L2为N型阳极区(9)与N型漂移区(7)的接触面的宽度；所述金属化阳极(11)中还具有氧隔离层(12)，所述氧隔离层(12)的上表面分别与P型浮空层(8)、N型阳极区(9)和P型阳极区(10)的下表面连接。