一种带有防止金属扩散保护层的复合衬底

摘要

本发明公开了一种带有防止金属扩散保护层的复合衬底，包括一熔点大于1000℃的导热导电层和位于该导热导电层上的GaN单晶层，至少在复合衬底的侧壁包裹有防止金属扩散的保护层。本发明的复合衬底既兼顾了GaN外延所需要的同质外延，提高了晶体质量，又可以直接制备垂直结构LED，且大幅降低了成本，同时有效避免了金属材料在MOCVD高温生长时的扩散挥发给实验设备带来的污染问题。

主权项

一种用于GaN生长的复合衬底，包括一导热导电层和位于该导热导电层上的GaN单晶层，其中所述导热导电层的熔点大于1000℃，其特征在于，至少在复合衬底的侧壁包裹有防止金属扩散的保护层，所述保护层的材料为非金属，不具有挥发性，且在1100℃以内不分解也不熔化；所述导热导电层与所述GaN单晶层之间的键合方式为刚性的范德瓦尔兹力的键合或柔性介质键合；若为所述刚性的范德瓦尔兹力的键合，则所述导热导电层为金属材料；若为所述柔性介质键合，则所述导热导电层和/或柔性介质键合层为金属材料。