| 发明名称 | 微电极的表面修饰方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种微电极的表面修饰方法，包括以下步骤：1)处理微电极表面，使其表面积增加至少10倍；2)在步骤1)处理后的微电极表面上形成保护层，使微电极的阻抗降低至92％～98％。本发明的表面修饰方法可获得与微电极结合牢固且机械稳定性好的表面镀层，最终得到的微电极的阻抗值低、电学可靠性好且适于长期植入的环境中应用。 | ||
| 申请公布号 | CN105671601A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201511030179.6 | 申请日期 | 2015.12.31 |
| 申请人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明人 | 吴天准;印有林;夏凯;杜学敏;闫醒阳 |
| 分类号 | C25D3/50(2006.01)I;C25D9/04(2006.01)I | 主分类号 | C25D3/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人 | 郝传鑫;熊永强 |
| 主权项 | 微电极的表面修饰方法，所述方法包括以下步骤：1)处理微电极表面，使其表面积增加至少10倍；2)在步骤1)处理后的微电极表面上形成保护层，使微电极的阻抗降低至92％～98％。 | ||
| 地址 | 518055 广东省深圳市南山区西丽大学城学苑大道1068号 | ||