发明名称 一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器
摘要 一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器属于半导体激光器技术领域,目的在于解决单一激光器难以满足在模式特性、光束质量、线宽、相干性、可调谐的综合要求。其由增益芯片、可调谐外腔、带有弯曲波导的倾斜功率放大器通过端面直接耦合构成。增益芯片实现单模宽光谱的激光输出。可调谐外腔采用SOI材料,通过增加腔长和激光谐振腔品质因数Q方式窄化线宽,采用热调制材料折射率实现可调谐。带有弯曲波导的倾斜功率放大器,在保证增益芯片和可调谐外腔稳定性下,实现高功率、高光束质量的激光输出。本发明实现单模、高功率、高光束质量、窄线宽、高相干、波长可调谐等集于一体的新型半导体激光器,在空间激光通信、激光雷达等领域有重要应用前景。
申请公布号 CN105680320A 申请公布日期 2016.06.15
申请号 CN201610149835.2 申请日期 2016.03.16
申请人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发明人 秦莉;高峰;陈泳屹;宁永强
分类号 H01S5/14(2006.01)I;H01S5/06(2006.01)I 主分类号 H01S5/14(2006.01)I
代理机构 长春菁华专利商标代理事务所 22210 代理人 李青
主权项 一种高功率可调谐窄线宽外腔半导体激光器,其特征在于,该激光器包括:增益芯片、可调谐外腔和带有弯曲波导的倾斜功率放大器;可调谐外腔的两端分别于增益芯片和带有弯曲波导的倾斜功率放大器相连。
地址 130033 吉林省长春市东南湖大路3888号