电容的制造方法、以及CMOS图像传感器的制造方法

摘要

一种电容的制造方法、以及CMOS图像传感器的制造方法，电容制造方法包括：提供形成有STI结构的衬底，STI结构的上表面高于衬底的表面；在衬底和STI结构上形成堆叠层，堆叠层包括应力缓冲层、以及其上的硬掩模层；在堆叠层内形成露出表面的开口；在开口的侧壁形成保护侧墙；沿开口刻蚀衬底以形成沟槽；去除一定厚度的堆叠层；去除保护侧墙后，形成覆盖在剩余堆叠层的表面上、并填充满沟槽的介电层和导电层；去除衬底表面的剩余堆叠层、介电层、及导电层，沟槽内的导电层、介电层、以及衬底构成电容。本发明的方案解决了以下问题：现有电容的制造方法中，STI结构的电隔离效果不佳，造成电容与衬底上邻近的有源区域存在漏电的可能。

主权项

一种电容的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有STI结构，所述STI结构的上表面高于半导体衬底的表面；在所述半导体衬底和STI结构上形成堆叠层，所述堆叠层包括应力缓冲层、以及位于所述应力缓冲层上的硬掩模层；在所述堆叠层内形成露出半导体衬底表面的开口，所述开口与STI结构在平行于所述半导体衬底表面的方向上存在间隔；在所述开口的侧壁形成保护侧墙；形成所述保护侧墙之后，沿所述开口刻蚀所述半导体衬底，以在所述半导体衬底内形成沟槽；形成所述沟槽之后，去除一定厚度的所述堆叠层；去除一定厚度的所述堆叠层之后，去除所述保护侧墙，然后，形成覆盖在剩余所述堆叠层的表面上、并填充满所述沟槽的介电层、以及位于所述介电层表面的导电层；去除所述半导体衬底表面的剩余所述堆叠层、介电层、以及导电层，所述沟槽内的所述导电层、介电层、以及半导体衬底构成电容。