| 发明名称 | 条状设计的IGBT功率器件 | ||
| 摘要 | 本实用新型公开了一种条状设计的IGBT功率器件，它包括基区，所述基区左右两侧设有沟槽，所述基区上覆盖有条状结构的发射区，且发射区覆盖所有有源区，所述发射区上离子注入后形成条状的接触层。本实用新型的发射区和接触层均为条状结构，令本实用新型更容易缩小尺寸，且提高IGBT功率器件的性能，同时缩减生产工艺，降低生产成本。本实用新型适用于任意电路。 | ||
| 申请公布号 | CN205319161U | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201520562339.0 | 申请日期 | 2015.07.30 |
| 申请人 | 步建康 | 发明人 | 步建康 |
| 分类号 | H01L29/739(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/739(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄科诚专利事务所 13113 | 代理人 | 张红卫;刘谟培 |
| 主权项 | 一种条状设计的IGBT功率器件，包括基区（1），所述基区（1）左右两侧设有沟槽（4），其特征在于：所述基区（1）上覆盖有条状结构的发射区（3），且发射区（3）覆盖所有有源区，所述发射区（3）上带有条状的接触层（5）。 | ||
| 地址 | 河北省石家庄市裕华区槐安路与翟营大街交叉口财库商务 | ||