半鳍式FET半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半鳍式FET半导体器件及相关方法。根据一个实施方式，半鳍式FET半导体器件包括形成于半导体主体上方的栅极结构。半导体主体包括由延伸超过栅极结构第一侧的多个鳍构成的源极区以及与和栅极区的与多个鳍相对的第二侧相邻的连续漏极区。连续漏极区使半鳍式FET半导体器件具有降低的导通电阻。制造具有半鳍式FET结构的半导体器件的方法，包括：在半导体主体内指定源极和漏极区、蚀刻源极区以产生多个源极鳍，同时在蚀刻期间掩膜漏极区以提供连续漏极区，从而使得半鳍式FET结构具有降低的导通电阻。

主权项

一种半鳍式FET半导体器件，包括：栅极结构，形成于半导体主体上方；所述半导体主体包括由延伸超过所述栅极结构的第一侧的多个鳍构成的源极区；所述半导体主体还包括连续漏极区，所述连续漏极区与所述栅极结构的第二侧相邻，其中，所述第二侧与所述多个鳍相对；其中，所述连续漏极区使得所述半鳍式FET半导体器件具有降低的导通电阻，其中，所述连续漏极区由漏极扩展阱而与所述栅极结构的所述第二侧隔开。