一种加载L形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器

摘要

一种加载L形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器，它涉及一种半模基片集成波导带通滤波器，具体涉及一种加载L形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器。本发明为了解决普通的基片集成波导带通滤波器的工作频率很高，相对带宽很窄，无法应用于移动通信系统中的问题。本发明包括第一金属印刷层、介质基板、第二金属印刷层和两个平衡微带线，介质基板为长方形板体，第一金属印刷层为长方形金属薄板，第一金属印刷层、介质基板、第二金属印刷层由上至下依次叠加设置，第一金属印刷层印刷在介质基板上表面的中部，第二金属印刷层印刷在介质基板的下表面，两个平衡微带线呈一字形印刷在介质基板上表面的一侧边缘。本发明属于无线通信领域。

主权项

一种加载L形缺陷地结构的半模基片集成波导带通滤波器，它包括第一金属印刷层(1)、介质基板(2)、第二金属印刷层(3)和两个平衡微带线(4)，介质基板(2)为长方形板体，第一金属印刷层(1)为长方形金属薄板，第一金属印刷层(1)、介质基板(2)、第二金属印刷层(3)由上至下依次叠加设置，第一金属印刷层(1)印刷在介质基板(2)上表面的中部，第二金属印刷层(3)印刷在介质基板(2)的下表面，两个平衡微带线(4)呈一字形印刷在介质基板(2)上表面的一侧边缘，且两个平衡微带线(4)分别位于第一金属印刷层(1)的两端，每个平衡微带线(4)的一端与介质基板(2)相对应的一端边缘连接，每个平衡微带线(4)的另一端与第一金属印刷层(1)相对应的一端连接，第一金属印刷层(1)的一侧开有一排金属化过孔(5)，且每个金属化过孔(5)由上至下依次穿过第一金属印刷层(1)、介质基板(2)、第二金属印刷层(3)，第二金属印刷层(3)一侧的中部设有第一L形缺陷地结构组，所述第一L形缺陷地结构组包括三个并排设置的第一L形缺陷地结构(6)，所述第一L形缺陷地结构组的两侧分别设有两个第二L形缺陷地结构(7)，每个第一L形缺陷地结构(6)的竖直端与第二金属印刷层(3)的一侧边缘接触，每个第二L形缺陷地结构(7)的竖直端与第二金属印刷层(3)的一侧边缘接触，其特征在于：每个第一L形缺陷地结构(6)的竖直槽的长度(m1)为11.5mm，每个第一L形缺陷地结构(6)的竖直槽的宽度(W1)为2.4mm，每个第一L形缺陷地结构(6)的水平槽的长度(m2)为4mm，每个第一L形缺陷地结构(6)的水平槽的宽度(W2)为3mm，每个第二L形缺陷地结构(7)的竖直槽的长度(m3)为8mm，每个第二L形缺陷地结构(7)的竖直槽的宽度(W3)为2.4mm，每个第二L形缺陷地结构(7)的水平槽的长度(m4)为4mm，每个第二L形缺陷地结构(7)的水平槽的宽度(W4)为2.2mm。