| 发明名称 | 一种用于混合式键合工艺的晶圆预处理工艺 | ||
| 摘要 | 本发明提出了一种用于混合式键合工艺的晶圆预处理工艺，在不平坦的待键合晶圆表面形成阻挡层和平坦层薄膜，接着，对平坦层薄膜进行平坦化处理，形成平坦的表面，平坦化可以停止与阻挡层，接着，使用键合工艺对所述待键合晶圆进行键合，本发明能够有效解决键合晶圆平坦化程度不高的问题，有利于进行晶圆的键合，提高键合的成功率。 | ||
| 申请公布号 | CN105679654A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201610054714.X | 申请日期 | 2016.01.27 |
| 申请人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 胡思平;朱继锋 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种用于混合式键合工艺的晶圆预处理工艺，其特征在于，包括步骤：提供待键合晶圆，在所述待键合晶圆的表面形成阻挡层；在所述阻挡层表面形成平坦层薄膜；对所述平坦层薄膜进行平坦化处理，使所述待键合晶圆表面平坦；采用键合工艺对所述待键合晶圆进行键合。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||