具有叠层有源层的薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明公开了一种具有叠层有源层的薄膜晶体管及其制备方法。所述具有叠层有源层的薄膜晶体管由至少两组子有源层依次叠设沉积构成有源层，子有源层包括一层导体/半导体层和一层绝缘层，绝缘层沉积于所述导体/半导体层上。导体/半导体层为具有导体特性或者半导体特性的三元氧化物ABO，绝缘层为具有绝缘体特性的二元氧化物AO，其中A、B分别代表金属元素；三元氧化物ABO中A元素为Al、Zr、Hf、La或Lu，B元素为Zn或In。有源层通过脉冲激光沉积方式制备而成，且不需要退火。本发明能够以低温工艺制备出高迁移率、高稳定性的薄膜晶体管。

主权项

一种具有叠层有源层的薄膜晶体管，该薄膜晶体管在衬底上依次设置有栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极，其特征在于，所述有源层由至少两组子有源层依次叠设沉积构成，所述子有源层包括一层导体/半导体层和一层绝缘层，所述绝缘层沉积于所述导体/半导体层上，其中，所述导体/半导体层较所述绝缘层靠近所述栅极；所述导体/半导体层为具有导体特性或者半导体特性的三元氧化物ABO，所述绝缘层为具有绝缘体特性的二元氧化物AO，其中A、B分别代表金属元素。