发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置采用了BPSG膜以作为绝缘膜,并且不易产生电极剥离。所提供的半导体装置具有导电层、第一绝缘膜、阻挡金属、接触电极以及表面电极。第一绝缘膜被配置在导电层上,并且表层部为BPSG膜,并具有接触孔。阻挡金属和接触电极被配置在接触孔内。表面电极被配置在BPSG膜和接触电极上。在BPSG膜与表面电极之间不存在阻挡金属,从而表面电极与BPSG膜直接接触。在表面电极中形成有接合衬垫。 |
申请公布号 |
CN105679813A |
申请公布日期 |
2016.06.15 |
申请号 |
CN201510882545.4 |
申请日期 |
2015.12.03 |
申请人 |
丰田自动车株式会社 |
发明人 |
岩崎真也;龟山悟 |
分类号 |
H01L29/739(2006.01)I;H01L29/40(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/739(2006.01)I |
代理机构 |
北京金信知识产权代理有限公司 11225 |
代理人 |
苏萌萌;范文萍 |
主权项 |
一种半导体装置,具有:导电层,其具有导电性;第一绝缘膜,其被配置在所述导电层上,并且至少表层部为硼磷硅玻璃膜,并具有到达所述导电层的接触孔;阻挡金属,其覆盖所述接触孔的内表面;接触电极,其在所述接触孔内被配置于所述阻挡金属上;表面电极,其被配置在所述硼磷硅玻璃膜和所述接触电极上,在所述硼磷硅玻璃膜与所述表面电极之间不存在所述阻挡金属,从而所述表面电极与所述硼磷硅玻璃膜直接接触,在所述表面电极中形成有接合衬垫。 |
地址 |
日本爱知县 |