发明名称 |
利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和设备 |
摘要 |
本发明涉及利用发光成像测试间接带隙半导体器件的方法和设备。描述了用来识别或确定间接带隙半导体器件例如太阳能电池中的空间分辨特性的方法和系统的实施例。在一个实施例中,通过从外部激发间接带隙半导体器件以使所述间接带隙半导体器件发光(110)、捕获响应于所述外部激发从间接带隙半导体器件发出的光的图像(120)、以及根据在一个或多个发光图像中的区域的相对强度的比较确定所述间接带隙半导体器件的空间分辨特性(130)来确定间接带隙半导体器件的空间分辨特性。 |
申请公布号 |
CN105675555A |
申请公布日期 |
2016.06.15 |
申请号 |
CN201610004485.0 |
申请日期 |
2007.05.04 |
申请人 |
BT成像股份有限公司 |
发明人 |
T·特鲁科;R·A·巴多斯 |
分类号 |
G01N21/64(2006.01)I;G01N21/66(2006.01)I;G01N21/956(2006.01)I |
主分类号 |
G01N21/64(2006.01)I |
代理机构 |
北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 |
代理人 |
梁丽超;王红艳 |
主权项 |
一种用来识别太阳能电池中的电隔离或不良连接区域的方法,所述太阳能电池包括间接带隙半导体晶片的一部分,所述间接带隙半导体晶片具有至少一个设置在其表面上的金属图案,所述方法包括步骤:激发所述太阳能电池发光;捕获所发射的光的至少一个图像;以及处理至少一个图像以根据所述至少一个图像中的区域的强度的比较来识别所述太阳能电池中的电隔离或不良连接区域。 |
地址 |
澳大利亚新南威尔士 |