发明名称 |
半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法,及生产半导体器件的方法 |
摘要 |
本发明涉及半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法,及生产半导体器件的方法。本发明涉及半导体背面用切割带集成膜,其包括:切割带,所述切割带包括具有凹凸加工面的基材和层压在所述基材上的压敏粘合剂层;和半导体背面用膜,所述半导体背面用膜层压于所述切割带的压敏粘合剂层上,其中所述切割带具有至多45%的雾度。 |
申请公布号 |
CN105666976A |
申请公布日期 |
2016.06.15 |
申请号 |
CN201610020536.9 |
申请日期 |
2011.07.29 |
申请人 |
日东电工株式会社 |
发明人 |
高本尚英;志贺豪士;浅井文辉 |
分类号 |
B32B7/12(2006.01)I;B32B27/08(2006.01)I;B32B37/12(2006.01)I |
主分类号 |
B32B7/12(2006.01)I |
代理机构 |
北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 |
代理人 |
刘新宇;李茂家 |
主权项 |
一种倒装芯片型半导体背面保护用切割带集成膜,其包括:切割带,所述切割带包括具有凹凸加工面的基材和层压在所述基材的所述凹凸加工面上的压敏粘合剂层;和半导体背面用膜,所述半导体背面用膜层压于所述切割带的压敏粘合剂层上,所述半导体背面用膜在可见光区域的透光率为0‑20%,且所述半导体背面用膜是着色的,其中所述切割带具有至多45%的雾度,所述倒装芯片型半导体背面保护用切割带集成膜以卷绕成卷形物的形式形成。 |
地址 |
日本大阪府 |