发明名称 一种4GHz功率100瓦10dB的厚膜电路衰减片
摘要 本实用新型公开了一种4GHz功率100瓦10dB的厚膜电路衰减片,所述厚膜电路衰减片包括一氧化铍基板,所述氧化铍基板背面无电路非金属化,所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、膜状电阻、第一接地导线和第二接地导线,所述输入电极和输出电极分别与膜状电阻连接形成卡片式衰减网络,所述膜状电阻两端分别连接第一接地导线和第二接地导线,所述膜状电阻的输出端连接有第一焙银,所述膜状电阻的输入端连接有第二焙银。本实用新型结构简单,使用方便,体积小,衰减平坦度好阻值精度和衰减精度高,重复性好。
申请公布号 CN205319276U 申请公布日期 2016.06.15
申请号 CN201521079815.X 申请日期 2015.12.22
申请人 上海华湘计算机通讯工程有限公司 发明人 戴林华;周蕾;周敏
分类号 H01P1/22(2006.01)I 主分类号 H01P1/22(2006.01)I
代理机构 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 代理人 刘常宝
主权项 一种4GHz功率100瓦10dB的厚膜电路衰减片,其特征在于,所述厚膜电路衰减片包括一氧化铍基板,所述氧化铍基板背面无电路非金属化,所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、膜状电阻、第一接地导线和第二接地导线,所述输入电极和输出电极分别与膜状电阻连接形成卡片式衰减网络,所述膜状电阻两端分别连接第一接地导线和第二接地导线,所述膜状电阻的输出端连接有第一焙银,所述膜状电阻的输入端连接有第二焙银。
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