发明名称 |
一种4GHz功率100瓦10dB的厚膜电路衰减片 |
摘要 |
本实用新型公开了一种4GHz功率100瓦10dB的厚膜电路衰减片,所述厚膜电路衰减片包括一氧化铍基板,所述氧化铍基板背面无电路非金属化,所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、膜状电阻、第一接地导线和第二接地导线,所述输入电极和输出电极分别与膜状电阻连接形成卡片式衰减网络,所述膜状电阻两端分别连接第一接地导线和第二接地导线,所述膜状电阻的输出端连接有第一焙银,所述膜状电阻的输入端连接有第二焙银。本实用新型结构简单,使用方便,体积小,衰减平坦度好阻值精度和衰减精度高,重复性好。 |
申请公布号 |
CN205319276U |
申请公布日期 |
2016.06.15 |
申请号 |
CN201521079815.X |
申请日期 |
2015.12.22 |
申请人 |
上海华湘计算机通讯工程有限公司 |
发明人 |
戴林华;周蕾;周敏 |
分类号 |
H01P1/22(2006.01)I |
主分类号 |
H01P1/22(2006.01)I |
代理机构 |
上海天翔知识产权代理有限公司 31224 |
代理人 |
刘常宝 |
主权项 |
一种4GHz功率100瓦10dB的厚膜电路衰减片,其特征在于,所述厚膜电路衰减片包括一氧化铍基板,所述氧化铍基板背面无电路非金属化,所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、膜状电阻、第一接地导线和第二接地导线,所述输入电极和输出电极分别与膜状电阻连接形成卡片式衰减网络,所述膜状电阻两端分别连接第一接地导线和第二接地导线,所述膜状电阻的输出端连接有第一焙银,所述膜状电阻的输入端连接有第二焙银。 |
地址 |
200233 上海市徐汇区田州路99号13号楼301室 |