LIGHT EMITTING DIODE CHIP

摘要

Es wird ein Leuchtdiodenchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2) beschrieben, die von Kontakten (5) über eine Stromaufweitungsschicht (3) elektrisch kontaktiert wird. Die Kontakte (5) bedecken zwischen zumindest 1 % und höchstens 8 % der Fläche der Stromaufweitungsschicht (3). Ein Freibereich (53), frei von Kontakten (5), kann in einem zentralen Bereich bezüglich der aktiven Zone (21) der Halbleiterschichtenfolge (2) vorgesehen sein. Die Kontakte (5) bestehen vorzugsweise aus separaten Kontaktpunkten (51), die an den Knotenpunkten eines regelmäßigen Gitters (52) mit einer Gitterkonstante kleiner als 30 µm (z.B. gleich 12 µm) angeordnet sind. Die Stromaufweitungsschicht (3) enthält vorzugsweise Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO) oder Zinkoxid (ZnO) und weist eine Dicke im Bereich von 15 nm bis 60 nm auf.