| 发明名称 | 具有晶体管单元和热电阻元件的半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具有晶体管单元和热电阻元件的半导体器件。半导体器件（500）包含被电耦合到晶体管单元（TC）的源极区（110）的第一负载端子（L1）。栅极端子（G）被电耦合到栅极电极（155），所述栅极电极（155）被电容地耦合到晶体管单元（TC）的本体区（115）。源极和本体区（110、115）被形成在半导体部分（100）中。热电阻元件（400）被热连接到半导体部分（100）并且被电耦合在栅极端子（G）与第一负载端子（L1）之间。在为半导体器件规定的最大操作温度（TJMax）之上，热电阻元件（400）的电阻在至多50开氏温度的临界温度跨度之内降低至少两个数量级。 | ||
| 申请公布号 | CN105679745A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201510878201.6 | 申请日期 | 2015.12.04 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | C.耶格;J.G.拉文;J.马勒;D.佩多内;A.普吕克尔;H-J.舒尔策;A.施瓦格曼;P.施瓦茨 |
| 分类号 | H01L23/58(2006.01)I;H01L23/62(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/58(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 申屠伟进;张涛 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：第一负载端子（L1），被电耦合到晶体管单元（TC）的源极区（110）；栅极端子（G），被电耦合到栅极电极（155），所述栅极电极（155）被电容地耦合到晶体管单元（TC）的本体区（115），其中源极和本体区（110、115）被形成在半导体部分（100）中；以及热电阻元件（400），被热连接到半导体部分（100）并且被电耦合在栅极端子（G）与第一负载端子（L1）之间，其中在为半导体器件规定的最大操作温度（TJMax）之上，热电阻元件（400）的电阻在至多50开氏温度的临界温度跨度之内降低至少两个数量级。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||