半导体加工用粘合带

摘要

本发明提供一种半导体加工用粘合带，其在使用支撑构件的半导体元件制造工序中，即使在用于清洗将支撑构件贴合于半导体晶片的粘接剂的残渣的清洗液淋到粘合剂的情况下，粘合剂亦不会溶解并污染半导体元件，且具备支撑构件的物理性、机械性剥离时所需的牢固的粘接性。本发明的半导体加工用粘合带为于基材树脂薄膜的至少一个面上形成有辐射线固化性的粘合剂层的半导体加工用粘合带，其特征在于，所述粘合剂层的紫外线照射前的凝胶百分数为65％以上且100％以下，且所述粘合剂层的紫外线照射前的探针粘性试验(probe tack test)的峰值为100～600kPa。

主权项

一种半导体加工用粘合带，其在对半导体晶片贴合赋予支撑性的支撑构件且研磨所述半导体晶片的背面后，在所述支撑构件的剥离前贴合于所述半导体晶片的研磨面，且在机械性剥离所述支撑构件之后被用于所述半导体晶片的切割，所述半导体加工用粘合带的特征在于，于基材树脂薄膜的至少一个面形成辐射线固化性的粘合剂层，所述粘合剂层含有下述(a)～(c)的化合物的全部，(a)包含下述的化合物(a1)～(a3)、具有不饱和双键、且重均分子量满足100000以上且2000000以下的丙烯酸系化合物，(a1)自丙烯酸戊酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸异丁酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸甲酯、丙烯酸己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸异辛酯、丙烯酸2‑乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸甲氧基乙酯、丙烯酸乙氧基乙酯或与这些同样的甲基丙烯酸酯、丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富马酸、邻苯二甲酸、丙烯酸羟烷基酯类、甲基丙烯酸羟烷基酯类、二醇单丙烯酸酯类、二醇单甲基丙烯酸酯类、N‑羟甲基丙烯酰胺、N‑羟甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、丙烯酸N‑烷基氨基乙酯类、甲基丙烯酸N‑烷基氨基乙酯类、丙烯酰胺类、甲基丙烯酰胺类、马来酸酐、衣康酸酐、富马酸酐、邻苯二甲酸酐、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯、烯丙基缩水甘油醚、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈、乙烯醇中选出的1种或多种的聚合物、或者数种聚合物的混合物，(a2)作为具有与所述化合物(a1)共聚的官能团的丙烯酸系化合物，为分子量满足100以上的丙烯酸羟烷基酯类或羟基烷基丙烯酰胺类，(a3)作为具有可与所述化合物(a1)进行加成反应的官能团和光聚合性碳‑碳双键的化合物，当成为加成反应对象的侧链为羧基或酸酐时，为(甲基)丙烯酸缩水甘油酯，当成为加成反应对象的侧链为环氧基时，为(甲基)丙烯酸，当成为加成反应对象的侧链为羟基时，为(甲基)丙烯酸2‑异氰酸根合烷基酯，(b)光聚合引发剂，(c)相对于所述化合物(a)100质量份为0.1～15质量份的多异氰酸酯类，所述粘合剂层的紫外线照射前的相对于甲基异丁基酮的凝胶百分数为65％以上且100％以下，所述甲基异丁基酮为清洗贴合所述支撑构件所使用的粘接剂残渣的清洗液，并且，所述粘合剂层的化合物(a)～(c)以使所述粘合剂层的紫外线照射前的在23℃下的探针粘性试验的峰值达到200～600kPa的方式进行调整，所述探针粘性试验为：使直径3.0mm的SUS304制的探针以30mm/min的速度、0.98N的接触载荷接触1秒钟后，测定以600mm/min的剥离速度朝上方剥离所述探针所需的力的试验。