一种4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片

摘要

本实用新型公开了一种4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片，所述4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片包括一氧化铍基板，所述氧化铍基板背面无电路非金属化，所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第一接地导线、第二接地导线、第三接地导线和第四接地导线，所述输入电极与第一膜状电阻连接，所述第一膜状电阻与第二膜状电阻连接，所述第二膜状电阻与输出电极连接，所述第一接地导线和第二接地导线分别连接在第一膜状电阻两端，所述第三接地导线和第四接地导线分别连接在第二膜状电阻的两端，所述第一膜状电阻的输入端连接有第一焙银，所述第二膜状电阻的输出端连接有第二焙银。本实用新型结构简单，使用方便，体积小，衰减平坦度好阻值精度和衰减精度高，重复性好。

主权项

一种4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片，其特征在于，所述4GHz功率200瓦20dB的厚膜电路衰减片包括一氧化铍基板，所述氧化铍基板背面无电路非金属化，所述氧化铍基板正面设有输入电极、输出电极、第一膜状电阻、第二膜状电阻、第一接地导线、第二接地导线、第三接地导线和第四接地导线，所述输入电极与第一膜状电阻连接，所述第一膜状电阻与第二膜状电阻连接，所述第二膜状电阻与输出电极连接，所述第一接地导线和第二接地导线分别连接在第一膜状电阻两端，所述第三接地导线和第四接地导线分别连接在第二膜状电阻的两端，所述第一膜状电阻的输入端连接有第一焙银，所述第二膜状电阻的输出端连接有第二焙银。