发明名称 | PMOS管衬底选择电路 | ||
摘要 | 本发明属于集成电路技术领域,涉及一种PMOS管衬底选择电路,该电路包括:基准电流源电路、比较器电路和高电压选择电路,其特点是自动选择两个电压源中较高的一个电压提供给PMOS管作为衬底电平,防止PMOS管关闭时在衬底端产生漏电。 | ||
申请公布号 | CN104133515B | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
申请号 | CN201410325012.1 | 申请日期 | 2014.07.09 |
申请人 | 山东汉旗科技有限公司 | 发明人 | 刘陵刚;刘本强 |
分类号 | G05F1/56(2006.01)I | 主分类号 | G05F1/56(2006.01)I |
代理机构 | 北京高航知识产权代理有限公司 11530 | 代理人 | 赵永强 |
主权项 | PMOS管衬底选择电路,用于输出第一电源电压及第二电源电压之中较高者,提供给PMOS管作为衬底电压使用;包括:基准电流源电路、比较器电路和高电压选择电路;所述基准电流源电路,连接到第一电源电压,产生一个基准电流,分别在第一电源电压域和第二电源电压域镜像获得第一镜像电流和第二镜像电流;所述比较器电路,利用所述第一镜像电流和所述第二镜像电流作为负载,比较第一电源电压和第二电源电压的大小,并利用第一反相器进行整形,输出一个比较值;所述高电压选择电路,输入为所述比较器电路的比较值,选择第一电源电压和第二电源电压中较高的一个输出;所述高电压选择电路包括:第一PMOS管、第二PMOS以及第二反相器和第三反相器;第一PMOS管源端连接第一电源电压,第二PMOS管源端连接第二电源电压,第一和第二PMOS管的漏端和衬底均连接到输出电压并作为第二和第三反相器的电源电压;第二反相器输入端连第一反相器的输出端、输出端连第一PMOS管栅极和第三反相器的输入端;第三反相器的输出端连接到第二PMOS管的栅极。 | ||
地址 | 277000 山东省枣庄市峄城经济开发区科达西路 |