| 发明名称 | 薄膜晶体管基板及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本公开提供了薄膜晶体管基板及其制造方法。一种薄膜晶体管基板包括：栅极电极，设置在基底基板上；有源图案，与栅极电极交叠；源极金属图案，包括设置在有源图案上的源极电极和与源极电极分隔开的漏极电极二者；缓冲层，设置在源极金属图案上并接触有源图案；第一钝化层，设置在缓冲层上；以及第二钝化层，设置在第一钝化层上。缓冲层中的氢的密度大于第一钝化层中的氢的密度且小于第二钝化层中的氢的密度。 | ||
| 申请公布号 | CN105679832A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201510883961.6 | 申请日期 | 2015.12.04 |
| 申请人 | 三星显示有限公司 | 发明人 | 方硕焕;金亨俊;林志晚 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/471(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 王新华 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管基板，包括：栅极电极，设置在基底基板上；有源图案，与所述栅极电极交叠；源极金属图案，包括设置在所述有源图案上的源极电极和设置在所述有源图案上的与所述源极电极间隔开的漏极电极两者；缓冲层，设置在所述源极金属图案上并接触所述有源图案；第一钝化层，设置在所述缓冲层上；以及第二钝化层，设置在所述第一钝化层上，其中所述缓冲层中的氢的密度大于所述第一钝化层中的氢的密度且小于所述第二钝化层中的氢的密度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||