| 发明名称 | 齐纳二极管 | ||
| 摘要 | 齐纳二极管(10)包括：半导体基板(12)、阳极电极(40)和阴极电极(42)。半导体基板(12)包括p型阳极区(20)、n型电流路径区(22)和漂移区(24)。p型阳极区(20)连接到所述阳极电极(40)。n型电流路径区(22)与所述阳极区(20)接触。漂移区(24)与所述阳极区(20)和所述电流路径区(22)接触。漂移区(24)是n型的。漂移区(24)具有比所述电流路径区(22)低的n型杂质浓度。漂移区(24)直接地或经由另一个n型区(26)连接到所述阴极电极(42)。 | ||
| 申请公布号 | CN105684156A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201480058416.7 | 申请日期 | 2014.10.30 |
| 申请人 | 丰田自动车株式会社 | 发明人 | 江口博臣;金原啓道;大川峰司;池田智史 |
| 分类号 | H01L29/866(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/866(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京金信知识产权代理有限公司 11225 | 代理人 | 黄威;邓玉婷 |
| 主权项 | 一种齐纳二极管，包括：半导体基板；阳极电极；以及阴极电极，其中所述半导体基板包括p型阳极区、n型电流路径区和漂移区，所述p型阳极区连接到所述阳极电极，所述n型电流路径区与所述阳极区接触，所述漂移区与所述阳极区和所述电流路径区接触，所述漂移区是n型，所述漂移区具有比所述电流路径区低的n型杂质浓度，所述漂移区连接到所述阴极电极。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||