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반도체 디바이스를 형성하는 방법은, 제1 전도율 타입의 단자 영역을 상기 제1 전도율 타입의 반도체층 내에 형성하는 단계를 포함할 수 있다. 제2 전도율 타입의 웰 영역이 상기 반도체층 내에 형성될 수 있고, 웰 영역은 적어도 반도체층 내의 단자 영역의 부분들에 인접하고, 웰 영역의 반도체층 내로의 깊이는 단자 영역의 반도체층 내로의 깊이보다 클 수 있고, 제1 및 제2 전도율 타입들은 상이할 수 있다. 에피택셜 반도체층이 반도체층 상에 형성될 수 있고, 제1 전도율 타입의 단자 접촉 영역이 에피택셜 반도체층에 형성될 수 있고, 단자 접촉 영역은 단자 영역과의 전기적 접촉을 제공한다. 또한, 옴 접촉이 단자 접촉 영역 상에 형성될 수 있다. 관련 구조들이 또한 논의된다. |
