发明名称 |
在聚合物基体复合衬底上形成电感器的半导体器件和方法 |
摘要 |
本发明涉及在聚合物基体复合衬底上形成电感器的半导体器件和方法。半导体器件具有形成在聚合物基体复合衬底的第一表面上的第一绝缘层。第一导电层形成在第一绝缘层上。第二导电层形成在第一绝缘层和第一导电层上。第二导电层形成在第二绝缘层和第一导电层上。第二导电层被卷绕成展现电感属性。在第一导电层和第二导电层之间形成第三导电层。第三绝缘层形成在第二绝缘层和第二导电层上。凸点形成在第二导电层上。第四绝缘层可以形成在聚合物基体复合衬底的第二表面上。可选地,第四绝缘层可以在形成第一导电层之前形成在第一绝缘层上。 |
申请公布号 |
CN102097301B |
申请公布日期 |
2016.06.15 |
申请号 |
CN201010550946.7 |
申请日期 |
2010.11.19 |
申请人 |
新科金朋有限公司 |
发明人 |
林耀剑 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L23/64(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
李娜;王洪斌 |
主权项 |
一种制作半导体器件的方法,包括:提供包括第一平板和第二平板的模具;在所述第一平板之上施加第一可释放带;在所述第二平板之上施加第二可释放带;在所述第一可释放带之上的模具中形成第一导电层;通过将密封剂沉积在所述模具中以及沉积在所述第一导电层上而形成模制衬底;在所述模制衬底和第一导电层上形成第一绝缘层;在所述第一绝缘层和第一导电层上形成第二导电层;在所述第一绝缘层和第二导电层上形成第二绝缘层;以及在所述第二导电层上形成互连结构。 |
地址 |
新加坡新加坡市 |