围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法

摘要

本发明实施例公开了一种围栅结构的鳍式半导体器件的制造方法，利用体衬底(Bulk substrate)形成鳍后，通过多层掩膜及刻蚀仅暴露出鳍的下部的部分区域，通过该暴露的区域将鳍的下部刻蚀出穿孔来，并在穿孔下形成绝缘层，通过穿孔，从而进一步形成可以包围鳍的围栅结构，实现了体衬底上制造围栅结构的鳍式半导体器件，降低了成本。

主权项

一种围栅结构的半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底为体衬底；刻蚀所述衬底，在所述衬底中形成鳍；在所述鳍两侧的衬底上以及鳍的上表面上形成第一掩膜层，在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层，以及在所述鳍的侧壁形成第三掩膜层；去除所述鳍的两侧衬底上的部分第二掩膜层，以暴露鳍底部的部分侧壁；从暴露的鳍底部的部分侧壁进行刻蚀，在鳍的底部形成穿孔，以及去除所述第一掩膜层、第二掩膜层以及第三掩膜层；在所述鳍两侧的衬底上及穿孔下的衬底上形成绝缘层，所述穿孔下的绝缘层的厚度小于穿孔的高度；通过所述穿孔形成包围鳍的栅介质层，以及在栅介质层上形成栅电极。