一种AlGaN/GaN基场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明涉及晶体管散热领域，特别涉及一种AlGaN/GaN基场效应晶体管及其制备方法。一种AlGaN/GaN基场效应晶体管，包括依次排布的SiC基底层、AlN层、GaN层和AlGaN层，AlGaN层上依次设置有热沉、漏极和源极，漏极与源极之间填充有二氧化硅层，漏极与源极之间的二氧化硅层上设置有栅极；热沉与漏极之间填充有二氧化硅层，热沉、漏极以及两者之间的二氧化硅层由二氧化钒层覆盖。本发明在晶体管的漏极和热沉之间设置二氧化钒层，二氧化钒层与漏极界面热传导通过电子-电子之间的耦合开启电子输运通道，达到迅速降低场效应管温度目的，从而可以大大提高场效应晶体管的性能和寿命。

主权项

一种AlGaN/GaN基场效应晶体管，其特征在于，包括依次排布的SiC基底层、AlN层、GaN层和AlGaN层，所述AlGaN层上依次设置有热沉、漏极和源极，所述漏极与所述源极之间填充有二氧化硅层，所述漏极与所述源极之间的二氧化硅层上设置有栅极；所述热沉与所述漏极之间填充有二氧化硅层，所述热沉、所述漏极以及两者之间的二氧化硅层由二氧化钒层覆盖。