发明名称 Pt纳米颗粒修饰的Cu纳米线阵列电极的制备方法及在无酶葡萄糖传感器的应用
摘要 本发明涉及一种Pt纳米颗粒修饰的Cu纳米线阵列电极的制备方法及在无酶葡萄糖传感器的应用。将多孔的AAO模板进行喷金处理,Cu箔通过导电胶固定在喷金层的电极表面,利用绝缘硅橡胶把模板的周围密封,作为工作电极;以铂电极为对电极,饱和甘汞电极为参比电极和工作电极构成三电极体系,将三电极体系放置到CuSO<sub>4</sub>和H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>的电解液中进行恒流电沉积;沉积完成后,用NaOH溶液中浸泡,以除去AAO模板得到Cu纳米线阵列结构;蒸馏水多次清洗后,在H<sub>2</sub>PtCl<sub>6</sub>加H<sub>2</sub>SO<sub>4</sub>的电解液中进行恒电位沉积,得到了Pt纳米颗粒修饰的Cu纳米线阵列。Pt纳米颗粒修饰的Cu纳米线阵列电极用于无酶葡萄糖传感器。
申请公布号 CN105675693A 申请公布日期 2016.06.15
申请号 CN201610019125.8 申请日期 2016.01.13
申请人 天津大学 发明人 许鑫华;王超;郑娇;曹真真
分类号 G01N27/416(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 G01N27/416(2006.01)I
代理机构 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人 王丽
主权项 一种Pt纳米颗粒修饰的Cu纳米线阵列电极的制备方法,其特征在于以Cu的纳米线阵列为沉积模板,通过恒电位沉积将Pt纳米颗粒修饰到Cu纳米线上,得到Pt纳米颗粒修饰的Cu纳米线阵列电极。
地址 300072 天津市南开区卫津路92号天津大学
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