发明名称 | 一种强碱水热法制备微晶Bi-S基半导体材料的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种强碱水热法制备微晶Bi-S基半导体材料的方法,该方法首先将含硫化合物、氧化铋或铋盐、强碱和去离子水加入到反应釜中,在温室条件下搅拌,然后放入真空烘箱中加热反应,反应完成取出反应釜,将所得到的产物离心,干燥即得最终产物。该方法的优点在于所用的实验设备简单,操作方便,元素化学计量比精确,所需的原料价格低廉、无毒性,制备的产物具有片状形貌,并且具有良好的光电探测性能。 | ||
申请公布号 | CN105668624A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
申请号 | CN201511026863.7 | 申请日期 | 2015.12.31 |
申请人 | 上海应用技术学院 | 发明人 | 刘玉峰;郑新峰;房永征;侯京山;张娜;赵国营 |
分类号 | C01G29/00(2006.01)I | 主分类号 | C01G29/00(2006.01)I |
代理机构 | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人 | 杨军 |
主权项 | 一种强碱水热法制备微晶Bi‑S基半导体材料的方法,其特征在于,具体步骤如下:首先将3‑25mmol的含硫化合物、1‑10mmol氧化铋或铋盐、5‑30g强碱和5‑30mL的去离子水加入到反应釜中,搅拌10‑30min至反应物溶解;然后将反应釜密封放入200‑240℃的真空烘箱中加热反应1‑5天;最后离心、干燥即得微晶Bi‑S基半导体材料;其中:所述含硫化合物选自硫脲、硫粉、硫化钠、硫代乙酸、硫代硫酸钠或硫代乙酰胺中任意一种;所述强碱选自氢氧化钠、氢氧化钾或氢氧化铯中任意一种;所述微晶Bi‑S基半导体材料用化学式ABiS<sub>2</sub>表示,其中A选自Na、K或Cs中任意一种。 | ||
地址 | 200235 上海市徐汇区漕宝路120-121号 |