| 发明名称 | 一种制备高取向性石墨烯纳米结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种高取向性石墨烯纳米结构的制备方法，该方法包括以下步骤：步骤10）在衬底表面制备非晶碳纳米线，所述的非晶碳纳米线为含碳的有机物材料制成；步骤20）对非晶碳纳米线施加拉伸应力，并且进行电子束辐照，辐照能量小于非晶碳纳米线材料的表面溅射能量阈值，且小于非晶碳纳米线材料的体刻蚀阈值，辐照时间为5-200分钟，从而制得高取向性石墨烯纳米结构。该方法可以获得高取向性的石墨烯纳米结构。<b /> | ||
| 申请公布号 | CN105668561A | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201610198221.3 | 申请日期 | 2016.04.01 |
| 申请人 | 东南大学 | 发明人 | 万能 |
| 分类号 | C01B31/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人 | 杨晓玲 |
| 主权项 | 一种高取向性石墨烯纳米结构的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤10）在衬底表面制备非晶碳纳米线，所述的非晶碳纳米线为含碳的有机物材料制成；步骤20）对非晶碳纳米线施加拉伸应力，并且进行电子束辐照，辐照能量小于非晶碳纳米线材料的表面溅射能量阈值，且小于非晶碳纳米线材料的体刻蚀阈值，辐照时间为5‑200分钟，从而制得沿着应力或者应变方向取向的高取向性石墨烯纳米结构。 | ||
| 地址 | 211189 江苏省南京市江宁区东南大学路2号 | ||